Solar Cell Pc1D Assignment 1
Part A
A 2.1 Table A.1 Design and Performance Parameters Design parameters !! ������������������������ ������������������������������������(������������ ) 3.78×10!" ������������������������ℎ ������������������������������������(������������) 14.5 38.49 ������ℎ������������������ ������������������������������������������������������������ (������/☐) 0.10467 Emitter contact(Ω) Junction Depth (������������) 21.05 Performance parameters 0.608 ������ " （������) ! 2) ������!" (mA/cm 32.87 ������������ 0.818 ������ 16.4% A 2.2
I-‐V curve & Power curve 0.04 0.035 0.03 0.025 Current (A) 0.02 0.015 0.01 0.005 0 -‐0.2 -‐0.005 -‐0.01 -‐0.015 Voltage (V) Figure A.1 I-V and Power curve of best emitter design
Isc=0.03287A
I-‐V curve (A) Power curve (W)
Pmax=0.0164W
Voc=0.608V 0 0.2 0.4 0.6 0.8
A 2.4 Junction depth (xj) is the distance at which the concentration of n type (or p type) dopants equates to the p type (or n type) background concentration CB. Depth factor is diffusion lengthλwhich equals to 4������������. In the case of realistic
profiles it is the distance at which the Concentration of the diffusing atoms drops to a characteristic lower value. For example，about 0.3 for a Gaussian concentration profile. A2.5 For commercially produced screen-printed solar cells, the surface doping concentration is about 1×10!" ~1×10!" ������������������������������/������������! . It is nearly the solid solubility of phosphorus in silicon substrate. On the other hand, the junction depth is about 0.3~0.5 ������������.
A2.6 By comparing design parameters from A2.1 and commercially
A 2.1 Table A.1 Design and Performance Parameters Design parameters !! ������������������������ ������������������������������������(������������ ) 3.78×10!" ������������������������ℎ ������������������������������������(������������) 14.5 38.49 ������ℎ������������������ ������������������������������������������������������������ (������/☐) 0.10467 Emitter contact(Ω) Junction Depth (������������) 21.05 Performance parameters 0.608 ������ " （������) ! 2) ������!" (mA/cm 32.87 ������������ 0.818 ������ 16.4% A 2.2
I-‐V curve & Power curve 0.04 0.035 0.03 0.025 Current (A) 0.02 0.015 0.01 0.005 0 -‐0.2 -‐0.005 -‐0.01 -‐0.015 Voltage (V) Figure A.1 I-V and Power curve of best emitter design
Isc=0.03287A
I-‐V curve (A) Power curve (W)
Pmax=0.0164W
Voc=0.608V 0 0.2 0.4 0.6 0.8
A 2.4 Junction depth (xj) is the distance at which the concentration of n type (or p type) dopants equates to the p type (or n type) background concentration CB. Depth factor is diffusion lengthλwhich equals to 4������������. In the case of realistic
profiles it is the distance at which the Concentration of the diffusing atoms drops to a characteristic lower value. For example，about 0.3 for a Gaussian concentration profile. A2.5 For commercially produced screen-printed solar cells, the surface doping concentration is about 1×10!" ~1×10!" ������������������������������/������������! . It is nearly the solid solubility of phosphorus in silicon substrate. On the other hand, the junction depth is about 0.3~0.5 ������������.
A2.6 By comparing design parameters from A2.1 and commercially