Advanced Vlsi Device

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  • Published : May 8, 2013
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开课单位| 信息科学技术学院| 课程编号| |
课程中文名称| 高级超大规模集成电路器件| 课程周学时| 8| 课程英文名称| Advanced VLSI Devices| 课程学分| 2| 课程类别(在选择项前划√)| √A、校内计划课程(限本校学生);B、暑期开放课程| 授课时间| 2011年7月11日---8月5日|
授课对象(含学生背景要求)| 本校高年级本科生和研究生| 先修课程| 无|
教师姓名
(中英文)| 黄汉森( Philip Wong)| 国 籍| 美国| 工作单位| 斯坦福大学|
职 称| 教授| 电邮地址| hspwong@stanford.edu| 学者简历、获奖情况及成就| * Professor of Electrical Engineering, Stanford University,2004年至今 * Senior Manager, IBM Research. T.J. Watson Research Center, 1988-2004黄教授是Institute of Electrical & Electronic Engineer (IEEE) Fellow。2001-2006年期间担任Elected AdCom member of EDS, IEEE,。 1998-2007年期间,任职于 IEDM Committee,其中2006年担任Technical Program Chair,2007年担任 General Chair. 1998-2004年期间任职于 ISSCC program committee, 并于2003年-2004年担任 Chair of the Image Sensors, Displays, and MEMS subcommittee 。目前,黄教授任职于 Executive Committee of the Symposia of VLSI Technology and Circuits.在2005-2006年期间曾经担任 Editor-in-Chief of the IEEE Transactions on Nanotechnology. 他还是 Distinguished Lecturer of the IEEE Electron Devices Society (since 1999) and Solid-State Circuit Society (2005 – 2007).黄教授在IEDM, ISSCC, Symp. VLSI Technology, SOI conference, and SPIE 等国际会议做过讲座. 并在斯坦福大学开设多门研究生和本科生课程。| 中文课程简介:现代微电子集成电路技术的基础是CMOS器件,经过几十年的发展,未来的超大规模集成电路器件如何设计,以及针对不断变化的需求进行优化,深亚微米工艺下器件的电学特性如何变化,本课程将为有兴趣的学生提供一些具有启发性的参考原则。通过本课程的学习,学生将掌握CMOS器件按比例缩小的未来发展对电路和系统的影响;了解CMOS器件设计相关的半导体物理知识;通过查阅国际会议或者期刊论文学习CMOS器件研究方法;通过阅读ITRS了解半导体技术未来发展趋势;设计一个双栅CMOS器件;利用器件模拟工具TCAD进行器件仿真,并对仿真结果进行分析和解释。| 英文课程简介:Modern VLSI technologies are based on complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (CMOS). How are advanced VLSI devices designed and what future changes are likely? What are the design principles and how are devices optimized for the applications at hand? What are the implications for device electrical performance caused by fabrication techniques?At the end of the course, you will be able to: * Make projections about CMOS device scaling and how they affect circuit/system performance *...
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